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BSS52 TO-39封裝NPN達林頓晶體管Solitron Devices

發(fā)布時間：2025-10-14 08:59:41     瀏覽：275

　　Solitron Devices BSS52是一款 NPN 達林頓晶體管，專為工業(yè)高增益放大器設(shè)計，具有高電流、低電壓特性，并集成二極管和電阻。它是飛利浦(Philips)的第二來源產(chǎn)品，采用 TO-39 金屬封裝，適用于嚴苛的工業(yè)環(huán)境。

Solitron Devices BSS52 NPN達林頓晶體管

　　關(guān)鍵特性

　　高電流能力：連續(xù)集電極電流 1A，峰值可達 2A。

　　高電壓耐受：

　　集電極-發(fā)射極電壓(VCES)80V

　　集電極-基極電壓(VCBO)90V

　　集成保護：內(nèi)置二極管和電阻，簡化電路設(shè)計。

　　高直流增益(hFE)：

　　典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。

　　熱穩(wěn)定性：

　　結(jié)溫(Tj)范圍 -65°C 至 +200°C。

　　熱阻：結(jié)到環(huán)境(Rth j-a)220K/W，結(jié)到外殼(Rth j-c)35K/W。

　　極限參數(shù)

　　集電極-基極電壓(VCBO):90V

　　集電極-發(fā)射極電壓(VCES):80V

　　發(fā)射極-基極電壓(VEBO):5V

　　集電極電流(IC)：1A(連續(xù)), 2A(峰值)

　　功耗(Ptot)：0.8W(環(huán)境25°C) / 5.0W(外殼25°C)

　　電氣特性(Typical @25°C)

　　飽和壓降：

　　VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)

　　VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)

　　開關(guān)性能：

　　開啟時間(ton): 1μs(IC=500mA)

　　關(guān)斷時間(toff): 5μs(IC=1A)

　　截止電流：

　　集電極漏電流(ICES): 50nA(VCE=80V)

　　封裝尺寸：TO-39封裝，直徑12.7~14.2mm，高度 6.22~6.60mm。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

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