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2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems

發(fā)布時(shí)間：2024-04-29 09:28:46 瀏覽：1808

　　Linear Systems 2N/PN/SST4117系列單通道N溝道JFET放大器是針對(duì)高輸入阻抗應(yīng)用而設(shè)計(jì)的理想選擇。它的特點(diǎn)包括低功耗和小的電路加載量，使其適用于需要高性能放大器的場(chǎng)合。

Linear Systems 2N/PN/SST4117系列

　　針對(duì)2N4117A型號(hào)，它的源極飽和電流(IDss)小于600微安，而柵極源極漏電流(lgss)在2N4117A系列中低于1皮安，這保證了低功耗和小的電路加載量。

　　此外，該系列放大器在設(shè)計(jì)和性能上具有一些絕對(duì)最大額定值，需要在特定條件下測(cè)量并注意。該系列產(chǎn)品涵蓋了不同封裝形式下的尺寸和特性，如TO-72、TO-92和SOT-23。

　　電氣特性方面，該系列放大器具有穩(wěn)定的柵極源極擊穿電壓(BVGss)，在不同型號(hào)中保持了一致的性能范圍。此外，其柵極反向電流非常低，進(jìn)一步體現(xiàn)了其高性能特點(diǎn)。

FEATURES
LOW POWER Ioss<600μA (2N4117A)
MINIMUM CIRCUIT LOADING less<1 pA (2N4117A Series)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 3) @25°℃(unless otherwise noted)
Gate-Source or Gate-Drain Voltage	40V
Gate-Current	50mA
Total Device Dissipation (Derate 2mWAC above 25℃)	300mW
Storage Temperature Range	55°C to+150°℃
Lead Temperature (1/16"from case for 10 seconds)	300℃

SYMBOL	CHARACTERISTIC	4117		4118		4119		UNITS	CONDITIONS
SYMBOL	CHARACTERISTIC	MIN	MAX	MIN	MAX	MIN	MAX	UNITS	CONDITIONS
BVgss	Gate Source Breakdown Voltage	40		40		40		V	g =-1μA Vos=0
Vgs	Gate-Source Cutoff Voltage	0.6	-1.8	-1	-3	2	-6	V	Vos =10V Io=1nA
loss	Saturation Drain Current ( NOTE 2)	0.03	0.60	0.08	0.60	0.20	0.80	mA	Vos =10V Ves=0
GSs	Gate Reverse Current 2N4117A,2N4118A,2N4119A	■■	-1		-1		-1	pA	Vcs =-20V Vos=0
	Gate Reverse Current 2N4117A,2N4118A,2N4119A		-2.5		-2.5		-2.5	nA	Vcs =-20V Vos=0	150℃
	PN4117,PN4118,PN4119 SST4117,SST4118,SST4119	■■	-10		-10	■	-10	pA	Vos =-10V Vos=0
	PN4117,PN4118,PN4119 SST4117,SST4118,SST4119		-25		-25	m■	-25	nA	Vos =-10V Vos=0	1509℃
gis	Common-Source Forward Transconductance	70	450	80	650	100	700	μS	Vos =10V Vas=0	f=1kHz
gos	Common-Source Output Conductance		3		5	■	10	μS		f=1kHz
Ci	Common-Source Input Capacitance (NOTE 4)		3		3	■	3	pF		f=1MHz
Crss	Common-Source Reverse Transfer Capacitance (NOTE 4)		1.5		1.5		1.5	pF		f=1MHz

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